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PXAC200902FC和BSZ110N06NS3G和SIHP18N50C和CY8CMBR3108-LQXIT

更新时间:2020-01-16 信息编号:7d2iagj1ga49eb
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PXAC200902FC,BSZ110N06NS3G,SIHP18N50C,CY8CMBR3108-LQXIT
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PXAC200902FC和BSZ110N06NS3G和SIHP18N50C和CY8CMBR3108-LQXIT

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一、PXAC200902FC 射频晶体管:
晶体管极性:双N沟道
Vds-漏源极击穿电压:65 V
Rds上漏源导通电阻:220兆欧
增益:17.2分贝
输出功率:90 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:H-37248-4
工作频率:1805 MHz至2170 MHz
类型:射频功率MOSFET
通道数量:2个频道
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V



二、BSZ110N06NS3G 晶体管 - FET,MOSFET - 单:
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 23μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerVDFN


三、SIHP18N50C 晶体管 - FET,MOSFET - 单:
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 270 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 223W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3



四、CY8CMBR3108-LQXIT 接口 - 传感器,电容式触摸:
类型 按钮
接近探测 是
输入数 最高 8
LED 驱动器通道 最高 4
接口 I2C
分辨率 -
电压 - 电源 1.8V ~ 5.5V
电流 - 电源 140mA
工作温度 -40°C ~ 85°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 16-UFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 16-QFN(3x3)



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